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电子元器件详细资料 » IC[27648] » SI3456BDV-T1-GE3
型号:SI3456BDV-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)描述:MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C35 毫欧 @ 6A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs13nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装6-TSOP
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市旺财半导体有限公司李先生86-83209217
深圳市成鼎业科技有限公司张0755-82769062
上海鑫丰电子技术有限公司陈小姐 张先生086-021-51875986/51872153
深圳市品优时代科技有限公司唐0755-23612326
深圳市银芯龙科技有限公司欧阳13510131896
深圳市科恒伟业电子有限公司柯0755-88917652分机801-83200050
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SI3456BDV-T1-GE3相关型号

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